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场效应管10n60参数是多少 

场效应管10N60的参数是:N沟道MOSFET,耐压600V,电流10A。具体来说,漏源电压(Uds)为600V,最大漏极电流(Id)为10A,静态的漏源极导通电阻(Rds)为0.72欧姆。

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