场效应管与mos管区别

mos管和场效应管的区别 

MOS管和场效应管的区别主要体现在以下几个方面：

1. 主题不同：场效应管（FET）分为MOS场效应管（MOSFET）和结型场效应管（JFET），现在主要使用MOS场效应管，即通常所称的MOS管。

2. 特性不同：MOS管（金属-氧化物-半导体场效应管）的主要特征是金属栅极和沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。而场效应管（FET）具有输入阻抗高（≥108W）、驱动电流（约为0.1μA）等优良特性。

3. 规则不同：MOS管当VGS=0时是处于截止状态，再加上正确的VGS，大部分载体会被吸引到栅极上，从而“加强”这一区域的载体，形成导电沟道。而场效应管（FET）是一种半导体装置，它利用电场效应控制输入回路电流，并以此命名。

延伸：MOS管是金属（Metal）-氧化物（Oxide）-半导体（Semiconductor）的简称，即栅-二氧化硅-硅。JFET中的J代表Junction，即“结”，表示PN结的结。FET代表Field Effect Transistor，即场效应管。